Batista, Ronaldo Junio CamposOliveira, Adriano Soares2014-07-172014-07-172014OLIVEIRA, A. S. Propriedades eletrônicas e estruturais de grafeno depositado sobre o substrato diamante hidrogenado (111). 2014. 60 f. Dissertação (Mestrado em Física de Materiais) – Universidade Federal de Ouro Preto, Ouro Preto, 2014.http://www.repositorio.ufop.br/handle/123456789/3527Programa de Pós-Graduação em Ciências – Física de Materiais. Departamento de Física, Instituto de Ciências Exatas e Biológicas, Universidade Federal de Ouro Preto.Dispositivos que combinam a elevada condução de eletricidade a temperatura ambiente do grafeno com a excelente capacidade do diamante em dissipar energia são de grande interesse para as indústrias de equipamentos ópticos, eletrônicos e eletromecânicos. Sendo assim, nesta dissertação investigamos as propriedades estruturais e eletrônicas de grafeno depositado sobre uma superfície de diamante hidrogenado orientado no plano cristalino (111). Observamos que, com aplicação de pressão, o grafeno comensurável com o substrato de diamante hidrogenado. Esta comensurabilidade deu origem à quebra de simetria das sub-redes A e B do grafeno e, consequentemente, a um gap no ponto de Dirac. Como a superfície de diamante transferiu elétrons para o grafeno, o gap não estava no nível de Fermi e, por isso, a interface grafeno/diamante permaneceu condutora. A dopagem da folha de grafeno pôde ser revertida com aplicação de campo elétrico orientado na direção (111), o que tornou a interface semicondutora. Assim a interface grafeno/diamante se comportou como um transistor por efeito de campo.pt-BRGrafenoDiamanteFísica do estado sólidoCiência dos materiaisFísica computacionalDissertacaoAutorização concedida ao Repositório Institucional da UFOP pelo autor(a), 14/07/2014, com as seguintes condições: disponível sob Licença Creative Commons 3.0, que permite copiar, distribuir e transmitir o trabalho, desde que seja citado o autor e licenciante. Não permite o uso para fins comerciais nem a adaptação desta.